定义：UNIICenction晶体管是半导体开关装置有2层和3个终端，缩写为UJT．之所以这样叫，是因为“只有”的存在一个结．它具有用小的输入信号限制大功率的能力，也被称为a双基地二极管．
UJT是一种占有设备负电阻特性这意味着它的发射极电流在触发时再生上升。因此需要一个发射极电源来限制它。在正常工作条件下，它通常吸收较少的功率，因此是一个有效的装置。
由于它是一种低成本的设备，因此它广泛用于诸如振荡器，触发器和脉冲发生器等的电路中等。应注意，UJT具有来自BJT的不同的切换特性或者场效应晶体管．
UNIICenction晶体管的构造细节
下图显示了UNIICenction晶体管的基本结构
它的结构几乎与n沟道JFET相似。UJT由一个轻掺杂的n型硅棒组成，其中扩散p型材料从而产生PN结。由于存在一个PN结，它被称为单结器件。
它由两个欧姆接触在标签栏的最后基地1 (B1）和以2为底(B2）．在这里，正如我们在上图所示的那样，结构不对称，因为发射极区域更靠近B.2以获得最佳的电特性。
UJT符号如下所示:
现在，让我们来看看UJT的基本安排:
为了形成互补的UJT，将n型材料扩散在p型杆上。互补的UJT仅由传统的UJT与电流和电压的极性不同，因为两者的其他特征是相似的。
单结晶体管的工作
现在我们考虑下面显示的UJT等效电路：
在这里，R.B1是可变电阻，由于电阻随发射极电流的变化而变化。
电路的两个电阻一起构成总电阻，即B之间的电阻2和B.1发射极保持开放的地方叫做视觉电阻RBB．
我们可以这样写，
RBB= RB1+ RB2
发射极端子保持打开。
通常是R的值B1比R大吗B2．
当电压VBB是应用在两个基端B1和B.2，点A的电压是，
V一个=ηVBB
在这里,η.被称为内在的宿舍是由，
它的价值持续了小于1．
现在，让我们详细讨论上述条件。
考虑一个没有给电路提供发射极电位的情况。在这种情况下，二极管反向偏置。因此，包括二极管的势垒，总的反向偏置电压将变成，
V一个+ VBV =ηBB+ VB
正如我们所认为的那样，在这种情况下，v的值B是0.7 V。
如果先前0的发射极电位增加了小值，并且变得等于ηVBB．它会导致发射器电流iE变成0。这防止电流通过二极管，因为相等的电压水平。
进一步前进，如果发射极电位更多，二极管现在将得到偏置。这是因为它超越了整体反向偏见的潜力。将二极管置于正向偏置条件的发射极电位是已知为的峰值点电压并表示为Vp．
这允许发射极电流流过RB1地面，从而最终触发UJT。这最小值的我E触发设备被称为发射极的峰值电流终端表示我p．
由于二极管前进偏置并开始传导，电阻rB1快速减少。这是因为在进行中，前向偏置二极管将载体注入rB1区域，因此降低了电阻，因为它取决于掺杂水平。
由于电阻的减少，R的下降B1也降低了最终导致更多的传导。这导致更大的正向电流和循环重复。该发射极电流受电路的发射极电位限制。
因此，UJT具有负电阻特性，随着发射极电流的增加，电压降低。为了关闭设备，需要一个负脉冲。
单结晶体管的特性
下图展示了UJT的特征，它推导出了V之间的关系E和我E．
如图所示，我E不超过Ieo.，等于BJT反方向的漏电流。但需要注意的是，上述条件是针对射极电压位于峰点左侧的情况。这个地区被称为截止区．
正如我们已经讨论过的，当发射极电位等于峰值电压时，导通就开始了。当这个发射极电位降低后，I的进一步增加E，这简单地显示了r的减少B1．
这就是为什么该器件被称为具有负电阻特性的原因，该区域被称为负电阻特性区域负阻区．
在这之后,一个谷点当器件的发射极电流增加时，器件进入饱和区域。
UJT的特色
- 这是一种低成本的设备。
- UJT是一种具有高脉冲电流能力的器件。
- 它具有负电阻特性，是一种在运行过程中吸收更少功率的装置。
UJT的应用
- UJT是一种用于晶闸管触发的器件。
- 它用于控制直流电压，在过电压的情况下检测和测量磁通量。
- UJT用于宽松振荡器电路。
单结晶体管的负电阻特性是其工作的基础，因此，该器件可以用作振荡器。
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