定义：NPN晶体管是A.电流控制电路这包括三个终端，其是发射器，基座和收集器。它通过将N型材料层夹在两层p型材料之间而形成。它充当当前来源因为它通过基站终端提供电流。NPN晶体管与PNP晶体管完全相反。
NPN晶体管可以被理解为一个负极正阴性晶体管。这是因为N型半导体层由电子作为多数载流子组成。由于NPN晶体管由n型发射器组成，NPN晶体管中的多个电荷载波是电子。
这些电子从低电阻结移动时，即由高电阻区域组成的交叉点，即收集器底部结，IT生成电流。
在PNP晶体管上优选NPN晶体管，因为电子的迁移率大于孔的迁移率。在NPN晶体管中，多个载波是电子，并且在PNP中，多个载波是孔。因此，NPN中的电荷载体的迁移性将大于PNP的迁移率。
用于表示电子电路中的NPN晶体管的符号在下面给出。
施工
借助于三层形成NPN晶体管，其中两个是n型半导体的，另一个是p型半导体。通常表示通过将两个二极管返回到返回，形成晶体管。但它不像那样，它只是为了想象建设。
如果通过将两个二极管连接回来形成，则所得到的结构将具有四个掺杂区域，因为每个二极管具有2个掺杂区域。在这种情况下，通过将其连接回来而形成的基座不会具有均匀的掺杂，这是晶体管的预先要求的条件。
因此，它始终由三层形成，其中一个是轻微掺杂的层，即碱基，第二是重掺杂的，即发射器和最后一个是具有中度掺杂的收集器。p型底座夹在n型的发射极和集电极之间。这导致形成n型半导体。
发射器和收集器可互换吗？
发射器和集电极区域不可互换，因为与收集器的尺寸相比，发射器的尺寸较少。与发射器相比，收集器具有较大尺寸，因为如果收集器的尺寸大，则它将收集越来越多的电荷载流子，并且热量也可以容易地通过较大区域的结散。
加工
基 - 发射极结应为正向偏置，收集器碱基连接应逆转偏置。因此，发射极基结的n末端连接到V的负端子是，电池的P末端连接到V的正极端子是。
为了反向偏置集电极基结，N终端连接到V的正极端子CB.并且P终端连接到电池V的负端子Vce。这将使集电极基结和发射极基结处的窄耗尽层进行宽耗尽层。
当向前偏置被施加到发射极基结时，n区域中的电子将从电池的负端子释放并且将朝向基区域移动。与发射器和集电极区域相比，基区非常小。此外，碱基的掺杂强度最低。因此，它包括更少的孔。
由于基部区域的孔很少，只有少数电子将重新结合孔。尚未重新组合的其他电子将转向收集器区域。这将构成电路中的电流。收集器的尺寸很大，使得它可以收集更多的电荷载流子并且可以消散热量。
NPN晶体管中的电流由于电子是因为电子是NPN晶体管中的多个电荷载波。
NPN晶体管中的发射极电流等于基础和集电极电流的总和。数学上它可以写作： -
应用程序
NPN晶体管可用作放大器，开关，对数转换器，温度传感器等。
晶体管也称为BJT，这是双极结晶体管的缩略词。它被称为，因为BJT中的传导是因为双极元素，即负面和正面。由于负荷颗粒和PNP晶体管由于携带正电荷的多个电荷载体而构成电流，因此NPN晶体管构成电流。
发表评论