Gunn二极管

定义：Gunn二极管是一种转移的电子设备，其由一种类型的半导体组成，即n型并利用负性高频产生电流的特性。它用于生成RF和微波频率。

它由N型半导体组成，因为N型半导体具有电子作为多数载波。传输的电子设备使用具有电子为多个电荷载体的材料。

对于这种装置，P型半导体是不使用的，因为它由作为多数载体的孔组成。因此，Gunn二极管仅由n型半导体组成，而不是p型。

枪支二极管的建设

它由三层n型半导体组成。Gunn二极管中使用的半导体是砷化镓（GaAs），氮化镓（GaN），碲化镉（CdTe），硫化镉（Cds），磷化铟（Cds），铟砷（InAs），铟锑苷酸（INSB）和锌硒德（ZnSe）。

这三层中间最佳大多数和底部大多数是掺杂很重虽然这一点中间层是轻微掺杂与极端层相比。中间层是在n型基板上生长的外延层，顶部大多数层通过离子注入技术形成。

金属触头设置在极端层上以便于偏置。散热器是这样，使得二极管可以承受过多的热量，并且可以防止损坏。

Gunn二极管的工作

Gunn二极管实际上不是P-n结二极管，因为没有P区和没有结。但仍然，由于两个电极的参与，它被称为二极管。当偏置施加到Gunn二极管时，整个电压出现在有源区域跨越。有源区是设备的中间层。活动区域是6-18M.长。

当前脉冲开始遍历活动区域的情况。该潜在的梯度当电流脉冲遍历在块另一个脉冲形成的活动区域中时会掉下来。仅当先前的电流脉冲遍历整个活动区域时才能形成下一个电流脉冲，或者它将在活动区域​​的末尾。以这种方式，有源区域的厚度改变了设备工作的频率。

这是一个转移的电子设备，所以它仅处理电子的运动。在Gunn二极管中，有价带，导带和传导带附近的一个带。因此，在初始DC偏置上，通过器件的电流增加，因为电子从价带移动到导通带。

在导通带中移动后，通过器件的电流开始减小，因为导通带中的电子移动到导通带上方的频带。由于这个有效的质量电子开始增加，因此移动性开始减少电流开始减小，并且这在二极管中产生负电阻区域。

在该负电阻区域中，电流随着落下的电压而开始增加，并且随着电压的增加，将开始减小。因此，它产生具有相位反转的脉冲，因此该装置适用于放大器和振荡器电路的制造。它产生频率范围10 GHz到THz。

枪支二极管的V-I特征

Gunn二极管中的电流最初随着所施加的直流电压开始增加。在特定点，当前开始减少该点被称为阈值点或峰值点。

交叉阈值点后，电流开始减小，这在二极管中产生负电阻区域。由于该负电阻区域，二极管充当放大器和振荡器。在该负电阻区域中，Gunn二极管能够放大信号。

Gunn二极管的优点

1. 便携式和小尺寸设备。
2. Gunn二极管的制造成本低。
3. 它对信号比具有更好的噪声，因为它免受噪声干扰。
4. Gunn二极管在较高频率下可靠且稳定。
5. 它具有高带宽的操作。

Gunn二极管的缺点

1. Gunn二极管的温度稳定性差。
2. 器件工作电流较高，因此功耗更多。
3. Gunn二极管的效率低于10GHz。

Gunn二极管的应用

1. Gunn二极管用作振荡器和放大器。
2. 它们用于无线电通信，军事和商业雷达来源。
3. Gunn二极管用作微电子的快速控制设备，用于调制激光束。
4. 它用于转速计。
5. Gunn二极管用于传感器，用于检测侵入检测系统，门开放系统，行人安全系统等。
6. 它还在微波继电器数据链路发射器中广泛使用。

这些是Gunn二极管的优缺点和应用。这些广泛用于检测系统中的传感器。