反向二极管

定义：向后二极管是在反向偏置模式下工作的半导体器件。它是通过在齐纳二极管和隧道二极管的设计特性的变化来设计。它是单方面的装置，因为其设计机制允许它仅在一个方向上运行。

它专为特定目的而设计。由于传统二极管在正向偏置中运行，它以相同的方式工作。隧道二极管的负电阻特性在后向二极管中使用。

反向二极管结构

向后二极管的构造类似于隧道二极管的结构。结的一侧被轻微掺杂，并且结的另一侧是重掺杂的。所产生的特征类似于隧道二极管的特性。

二极管的工作发生在反向偏置模式，因此，它被称为向后二极管。

后向二极管的电路符号

反向二极管的电路符号是对传统P-N二极管稍加修改的符号。二极管的阳极端与传统二极管相同，而阴极端稍作修改，以区分二极管与传统的P-N二极管。

向后二极管工作

反向二极管的工作原理类似于隧道二极管的工作原理，量子隧道的机制在反向偏置操作中对电流进行了至关重要的作用。借助于向后二极管的节能图，可以详细地理解后向二极管的工作。

在上图中可以看到半导体在无偏置条件下的能带。处于较高能级的带称为导带在较低能级的带被称为价带。

当外部能量供应到电子时，它们达到能量的激励状态并进入导电带。当电子从价带离开时导致带电时，它们在价带中留下它们后面的孔。

在无偏见的条件下，填充的价带与填充的导带相反。但是，当向半导体施加反向偏置时，P区域相对于n区域移动。P侧的填充带与N端的空带相反。因此，电子从P域的填充条带开始隧穿到n区域中的空带。

因此，即使在逆转的偏见条件下也会流动电流。当施加正向偏置时，N侧相对于P侧移动。因此，n型半导体的填充价带将与p型的空传导带相反.thus，电子从n型流到p型。

反向二极管以反向偏置模式工作。的负阻区域被创建并且这个区域被用于二极管的操作。

反向二极管特性

反向特性类似于齐纳二极管的特性。在下面的图表的帮助下可以理解前向特征。最初，电流随电压的增加而增加，但在特定时间之后，电流的大小变得恒定。即使电压的变化大，它也不会显着增加。

落后二极管的优点

1. 温度灵敏度：反向二极管的温度敏感性小于传统二极管的温度敏感性。向后二极管的敏感性是-0.1 mv /^0.C用于半导体材料，如锗和硅。另一方面，传统二极管的灵敏度为2 mv /^0.C。因此，由于低温灵敏度，向后二极管的温度变化较小。
2. 低断点:反向二极管的断点为0v，而常规二极管的断点在0.6 V - 0.7 V之间。因此，它的低断点对于各种应用都是有效的，因为该设备可以承受高电压而不击穿设备。

虽然传统的二极管断点不是低的，但它不能承受高电压，并且如果电压超过0.6 V-0.7 V.二极管中断了。

3. 低噪音水平:这些二极管的噪声水平较低，因此在二极管的情况下对信噪比远远优于传统二极管。
4. 效率:二极管的效率也优于传统二极管，结构特性赋予二极管的能力以提高其性能。

反向二极管的应用

1. 探测器：它可以用作频率为40 GHz的探测器。它具有低电容，因此在这些二极管中最小化充电存储问题。此外，小信号的非线性特性使其适用于探测器。
2. 开关:这些二极管的低电容赋予二极管的能力，以有效地从ON状态切换到OFF状态。因此，它用于开关电路。
3. 整流器：它用于具有小峰值电压的信号的整流，即约0.1V- 0.7V。

这是关于向后二极管的。在切换应用中使用其具有低电容的能力。此外，它还在整流器电路中找到了重要性。