变容二极管

定义：变容二极管是通过改变P-N结的耗尽区域的宽度来处理电容变化原理的原理。p-n结二极管创建电容器效果。电容由施加的电压控制。它适用于反向偏见模式。

变形词由单词形成可变反应或者可变电阻器。因此，它提供可变电阻或电抗或电容，因此它被命名为变容二极管。除了电容器的符号与二极管的符号合并以显示电容效果，变容二极管的符号与传统二极管相同。

它也被称为电压可变电容器（VVC）或者varicap二极管。

变容二极管的构造

它由p型和n型半导体形成，并施加反向偏置。n型半导体中的多个载波是电子和P型半导体中的多个载波是孔。在交界处，电子和孔重组。由于哪种固定离子在交界处积聚。由于多数载体，没有更多的电流可以流动。

因此，形成耗尽区。耗尽区被称为所以因为它的电荷载体耗尽，即耗尽区域中不存在。这用作介电层和P和N型半导体用作电容器的板。

变容二极管的工作

当反向偏压施加到P-N结时，耗尽层的宽度增加。随着反向电压的增加逐渐增加，耗尽层甚至增加。因此，耗尽区域产生转变电容C._T.
C_T.=ɛa/ w

在这里，C_T.是转换电容，ɛ是介电常数，a是电容器的板的面积，w是耗尽层的宽度。

从上述关系中明显看出，过渡电容与耗尽层的宽度成反比。因此，如果我们希望高度的电容，宽度应该很小。如果我们将施加低反向电压，宽度将很小。

同样，如果我们需要低电容，宽度应该大并且增加宽度施加的宽度应该高。如果可以使用施加的反向电压控制该宽度。

变容二极管的伏安特性

在特征曲线中可以看出，作为从0V的反向电压增加，过渡电容呈指数逐渐减小。

过渡电容与转换电容之间的关系_R.和V._k。

C_T.= k /（v_K.+ V._R.的）^N.

在这里，C_T.是连接电容，VK是膝盖电压和v_R.是合金连接的反向电压和n的值是1/2，并且漫射连接是1/3。因此，电压与电容成反比。

电容器的调谐范围随二极管的掺杂电平而变化。对于突然的掺杂结，掺杂将是均匀的，但对于超突变结，掺杂型材将是不均匀的。

变容二极管的优点

1. 低噪声：与其他P-N结二极管相比，它产生较少的噪声。因此，变容二极管的噪声引起的功率损耗低。
2. 可移植性：由于小尺寸和轻质，便携式便携。
3. 可靠性：它比其他P-N结二极管更可靠。
4. 经济：它是一种低成本二极管，因此，在各种应用中使用它是经济的。

变容二极管的缺点

这些专门设计用于在反向偏置模式下工作，当在前向偏置时，它具有最小的重要性。

变容二极管的应用

1. 电视接收器：变容二极管用作调谐电容器，并在各种应用中更换机械调谐电容器。它用于谐振罐电路的电视。
2. 无线电接收器：无线电接收器还使用该二极管进行调整。
3. 频率倍增器：它还用作各种电子电路中的频率倍增器。
4. 锁相环：它用于锁相环用于频率调制。变容二极管有助于实现频率调制。因此，在通信设备中，变容二极管是显着的。
5. 电压控制振荡器：电压控制振荡器广泛用于通信中的传输和接收电路。变容二极管在压控振荡器的构造中起着重要作用。
6. 参数放大器：它用于参数放大器作为一个重要组件。

变容二极管产生电容效果，这是因为它阴极和阳极端子充当电容器的板和它们之间的区域用作介电介质。