二极管和晶体管的区别

二极管和晶体管被认为是电子设备和电路的骨干。但是在这里，电子领域的这些关键装置之间的相似性。二极管和晶体管之间的主要区别是二极管是a两个终端只允许电流从阳极向阴极单向流动的器件。

相反，一个晶体管是A.三个终端设备通过电流高阻地区来低电阻区域。晶体管这个词本身表达了它的功能，晶体管这个词来源于两个词，转移和电阻器。因此，它被认为是将电阻从一个区域传递到另一个区域的装置。

存在某些因素，这些因素区分了这两个设备，例如耗尽区，应用等。我们将在比较图表的帮助下讨论所有这些因素。

内容：二极管VS晶体管

1. 比较图
2. 定义
3. 关键的不同点
4. 结论

比较图

参数	二极管	晶体管
定义	二极管是只允许电流沿一个方向通过的双端器件。	晶体管是三个端子装置，其允许电流从高电阻区域流到低电阻区域
形成	它是由p型半导体与n型半导体结合而成。	通过在任一端夹在两种n型或p型材料之间的一层p型或n型材料中来形成。
电路符号
耗尽层	只形成一个耗尽区域。	形成两个耗尽区。
的连接数量	在p型和n型半导体之间只有一个结。	两个结形成一个在发射极和基极之间，另一个在基极和集电极之间。
终端	二极管有两个端子，即阳极和阴极。	晶体管有三个端子，即发射极、基极和集电极。
认为是	它可以被看作是一个开关。	它可以看作是开关或放大器。
应用程序	整流器、双电压、削波器等。	放大器，振荡器等

定义

二极管

二极管是由其中一个半导体样品组合而成的p型半导体另一个是n型半导体。通过连接这两个半导体形成的连接被称为PN结。该耗尽层是由于两个区域的载流子浓度不同而形成的。

p型半导体以空穴为主载流子，n型半导体以电子为主载流子。现在，PN结在无偏和偏置模式下的行为是不同的。

让我们讨论一下公正的模式第一。在无偏模式下，n区电子和p区空穴将由于浓度梯度而向结方向移动。当没有更多的载流子漫过结时，就会达到一个阶段。这个阶段叫做饱和阶段。

在此之后，已达到结的电子和孔将重组。由于这，其他多数载波的运动将受到限制。所形成的区域称为耗尽层。它将创建一个内部电场。

现在向有偏见的模式，偏置时，即p型接正极，n型接负极。正向电流将开始从阳极流向阴极。耗尽区宽度随前向偏置的增加而减小。

类似地，耗尽层的宽度随着反向偏置模式的反向偏置条件而增加。在二极管中流动的电流是因为少数电量载波。这就是所谓的反向饱和电流因为它在特定的反向电压后饱和。然后随着反向电压的增加，它不会进一步增加。

反向电流只随in的增加而增加温度。

晶体管

晶体管是一种三端器件，由三个区域和两个结组成。这些区域是发射器,基础和集电极。这两个结点是基极发射极结和基极集电极结。

这些地区有不同的特点，大小也各不相同。发射极被高度掺杂，从而可以产生更多的载流子;基极是轻度掺杂的，因此只有少数载流子会在那里重组，而集电极是适度掺杂的。

收集器的尺寸比发射器以及收集器，而基座的大小在所有三个区域中最小。收集器和基座之间的耗尽层的宽度大于基极交叉结的宽度。

发射器和基座以这样的方式连接到电池，使得它们以前向偏置模式工作，而收集器和基座以这样的方式连接到电池，使得它变向偏置。因此，大多数电荷载流子将从发射器流到碱，然后基于收集器。收集器的尺寸越大，它收集的电荷载流子越多，也会容易地进行散热。

结论

二极管是双端单向器件，晶体管是三端器件，电流通过基极从高阻区通到低阻区。二极管应用于各种电子学领域，如整流器、削波器、箝位器、电压倍增器、开关等。二极管起开关的作用。当它是向前偏压时，它是关闭时，它是反向偏压。

晶体管既可作开关，也可作放大器。这种应用产生了二极管和晶体管的主要区别。二极管有各种类型，如齐纳二极管,销二极管,光电二极管,发光二极管等，而晶体管主要有两种类型双极型晶体管和场效应晶体管。