二极管和齐纳二极管的区别

一个二极管是一种单向导电的半导体器件。一个齐纳二极管是一种半导体器件，它既可进行正向偏置，也可进行反向偏置。一个正常的二极管如果操作逆转偏见会摧毁了。因此，一个普通的PN结二极管被认为是一个单向器件。相反,齐纳二极管设计的方式使它能在a逆转有偏见的没有损坏的模式。

的兴奋剂强度也是区分传统二极管和齐纳二极管的关键特征之一。正常的PN结二极管被适度掺杂，而齐纳二极管被恰当地以它所拥有的方式掺杂锋利的击穿电压。

我们将借助比较图讨论二极管和齐纳二极管的其他一些区别。

内容:二极管与齐纳二极管

1. 比较图
2. 定义
3. 关键的不同点
4. 结论

比较图

参数	二极管	齐纳二极管
定义	二极管是一种半导体器件，它只在正向偏压下导电。	齐纳二极管是一种既能正向导电又能反向偏压导电的半导体器件。
反向偏置运算	它在反向偏压中受损。	它可以在不损坏的情况下工作。
电路符号
掺杂强度	在正常的二极管中掺杂强度很低。	齐纳二极管采用高掺杂强度来实现锐击穿。
应用程序	二极管用于整流器、断流器、箝位器等。	稳压器主要采用齐纳二极管。

定义

二极管

二极管是由两层半导体材料，即p型层和n型层连接而成。连接这些层形成的连接称为PN结。p型层也可以理解为正层，因为p型层中的大多数载流子是空穴。同理，n型层也可以认为是负型层，因为n型层中电子占多数载流子。

当二极管是正向偏置的，它不立即开始传导，但在一个特定的正向电压后，它开始传导。这个正向电压叫做膝盖电压二极管。膝关节电压的值取决于半导体材料，对于锗来说就是0.3 v对于硅来说，就是这样0.7 v。

当二极管反向偏置时，耗尽区变宽。相反，随着正偏压的增大，耗尽区厚度减小。因此，在反向偏置的情况下，耗尽区不让电流流过它。

但少数载流子可以反向偏置流动，在二极管中构成小电流。这是温度的依赖如果反向电压超过某一特定值，则温度升高，少数载流子指数增加，从而使二极管破裂。

因此，建议PN结二极管仅采用正偏压模式。

齐纳二极管

一个齐纳二极管通过适当的掺杂，可以通过控制二极管的耗尽宽度来改变击穿电压。这就是在反向偏置条件下使用齐纳二极管的优点。

齐纳二极管的构造方式与传统二极管的构造方式相似，唯一不同的是齐纳二极管的构造方式不同兴奋剂特征。当齐纳二极管正偏时，它的导通方式与普通二极管的导通方式相似。当它反向偏置时，它导通，这就形成了齐纳二极管双向半导体设备。

齐纳二极管可以由电压源和电阻器组成的等效电路来理解。齐纳二极管具有同样的功能。掺杂越高，齐纳电压越低，耗尽宽度越窄。因此，我们可以通过适当的掺杂来改变齐纳二极管的宽度，从而改变击穿电压。

因此，我们可以通过控制击穿电压来防止二极管的击穿。在击穿电压下，二极管不会突然烧坏，因为外部电阻保护电流不被流过二极管。

结论

二极管和齐纳二极管，两者都是双端半导体器件，但区别它们的关键是在反向偏置模式下工作的能力。齐纳二极管的设计使其可以在反向偏置模式下工作而不会受到损坏。相反，普通PN结不能用于此目的。