两者的主要区别二极管和光电二极管二极管是一种半导体器件它在正向偏置时导电而光电二极管在反向偏置时导电。由于外部施加的电压,二极管内的导通是可能的,而光电二极管内的导通只有在光源照射下才可能。
二极管和光电二极管的另一个重要区别是二极管无法在偏转偏置时工作,即,当二极管反向偏置时,没有电流流过二极管。相反,一个光电二极管只能在反向偏压下工作.如果你认为光电二极管可以通过入射光传导,在正偏模式下,那么你错了。它将只在反向偏压模式下进行。
二极管和光电二极管之间还有其他一些重要的区别,我们将在比较图中讨论。在开始比较图之前,让我们看一下本文的路线图。
内容:二极管和光电二极管
参数 | 二极管 | 光电二极管 |
---|---|---|
定义 | 二极管是两个终端设备,当前向前偏置时。 | 光电二极管是一种两端器件,它在反向偏压时导电。 |
电路符号 | ||
主要功能 | 二极管主要用作开关。 | 光电二极管是用来将光能转化为电能的。 |
材料 | 锗或硅,这两种都可以使用。 | 硅用于制造光电二极管。氮化银层用于涂层。 |
应用程序 | 用于剪刀,夹子,整流器等。 | 用于光电器件、相机、光耦合器等。 |
定义
二极管
二极管是一种由p型半导体与n型半导体结合而成的两端半导体结。这种结合的结果形成了一个耗尽移动载流子的结,即只包含不移动的载流子。
这些固定电荷载流子负责在半导体样本中存在屏障电位。这障碍潜力除了针对应用的外部电池电位的强大磁场。
当二极管没有偏见时,即不施加偏置,既不正向偏置也不反向偏置,然后大部分电荷载体,即p型半导体中的孔,N型半导体中的电子引起的浓度梯度的运营商。载流子浓度梯度是指两个区域内载流子的浓度。
电荷载体从更高的浓度移动到较低浓度,孔的浓度比在N侧的p侧更高。因此孔从p型移动到n型。相反,是n型区域中的多个载波的电子从n型移动到p型。
在特定的时间,当没有多数载体越过交界处时,则导通将停止。并且最初被移动的电荷载体将重组在交界处。现在,如果要将二极管切换回导通状态,则必须提供外部电压。
但是这里还有一个条件,在电池电位超过势垒电位或膝盖电压。
光电二极管
光电二极管是一种半导体器件,当它被光源照亮时可以提供导电。光电二极管不能在正偏模式下工作;如果是正偏模式,它就会被破坏。
所述光电二极管具有抗反射层如氮化银.抗反射层的功能是防止入射在光电二极管上的光被反射。这种层的存在通过捕获入射光的大部分来增加光电二极管的效率。
入射光由光子组成,当与光子碰撞时,光子将其能量传递给电子。因此,半导体材料被光照亮,光子撞击半导体原子,作为一个结果,电子从半导体原子得到驱逐。移动电子的运动在光电二极管中构成电流。
即使在没有入射光的情况下也能显示其存在的少量电流称为暗电流。只有当正电压加到光电二极管上时,光电二极管中的电流才能停止。
当光电二极管的端子与外部电路连接时,用作光伏器件而不是光电导装置。这是因为设备的反向偏置导致少数电压载波在交界处扫过。
因此,当光电二极管在没有反向偏置的情况下操作时,电子将通过外部电路从N终端流到P末端。在这种情况下,光电二极管作用于光伏设备.当设备用反向偏置模式操作时,据说是光电导.
二极管和光电二极管之间的关键差异
- 二极管和光电二极管之间的关键区别是,二极管是半导体器件,当正向偏压施加到它超过势垒电位时,而光电二极管是器件,当光入射到它上时,进行传导。
- 的偏见模式二极管和光电二极管也不同,彼此相矛盾;二极管仅在远程偏置模式下操作,而仅在光电二极管仅在反向偏置模式下操作。
- 的材料用于制造二极管和光电二极管也有所不同。二极管由锗或硅组成,而光电二极管仅由硅组成。
- 的抗反射层存在于光电二极管中,而二极管不需要它。
- 在光电二极管中流动的反向电流随着照明强度而变化,而二极管中的正电流直接随向正电压而变化。
结论
二极管是一种半导体器件,用于各种电子器件,如夹子,夹子和整流器。二极管主要用作开关。光电二极管在诸如光通信设备,相机,光耦合器等。二极管并不把一种形式的能量转换成另一种形式。光电二极管将一种形式的能量转化为另一种形式的能量,也就是说,它将光能转化为电能。
有时我们经常混淆这两个术语,因为它们听起来相同,都是两个终端设备。带二极管的照片改变了它的意思。记住工作的关键术语是关键照片。照片是灯二极管是一种双端器件。
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