NPN和PNP晶体管之间的差异（具有比较图表）

主要区别PNP晶体管和NPN晶体管是传导NPN晶体管是由于电子传导时的电子PNP晶体管是由于孔。NPN和PNP晶体管之间的另一个重要差异是电流的流动方向，NPN晶体管中的电流从收集器到发射器相反，PNP晶体管中的电流流出发射器到收藏家。

NPN和PNP晶体管之间的其他差异是偏见条件。NPN晶体管的发射极端子连接到电池的负极端子，而PNP晶体管的发射极端连接到电池的正极端子。

在比较图表的帮助下描述了其他显着差异。

内容：NPN晶体管VS PNP晶体管

比较图表

参数	NPN晶体管	PNP晶体管
定义	由夹在两层n型半导体之间的一层p型材料的晶体管。	由夹在两层P型半导体之间的一层n型材料组成的晶体管。
多数罪行载体	电子	洞
电路符号
多数抵押船的方向	电子从发射器流到收集器。	从发射器流到收集器的孔。
当前方向	电流从收集器流到发射器。	电流将发射器流入收集器。
箭头的方向在电路符号中	从基地终端向外。	向基本终端向内。
作为	它充当电流源，因为它是晶体管的基站的电流。	它起到当前水槽时，它完全沉入基座端子。
电荷载体的移动性	电子拥有高流动性，因此传导更多	孔在CopMparison中较少移动到电子，因此，PNP晶体管可提供更少的电压。
常用	NPN晶体管用于大部分应用。	与NPN晶体管相比，PNP晶体管不太使用。
频率响应	比PNP晶体管更快的响应。	频率响应较慢。

NPN晶体管通过夹在两层n型半导体之间的半导体的p晶体中形成。NPN晶体管中的多数电荷载波是电子。全形式的NPN晶体管是负正阴性。

NPN晶体管

NPN晶体管开始导通发射极限结是向前偏见。在该发射极结中，连接到电池的负极端子，同时晶体管的底座连接到电池的正极端子。

存在于发射极结中的电子将从电池的负端子中排斥并向基座移动。基座是轻微的掺杂区域，因此由较少的孔组成。因此，只有少量电子将与孔重新结合，并且其余的将向收集器区域流动。

如果我们将安排基础，发射器和收集器越来越多的顺序掺杂强度，基座将保持第一位置，然后是收集器，并在列表中持续将是发射器。因此，发射器是晶体管的高掺杂区域。

电子的方向来自发射器到收集器，因此，电流方向将从收集器到发射器。这是因为电流的流动方向与电子流量相反。收集器的大小在所有地区中最大。这基地是最小的与其他地区相比。

PNP晶体管是一种缩写正负阳性，它通过将半导体的n型层夹在两层P型半导体之间来形成。多数抵押载体PNP晶体管是洞。孔负责在PNP晶体管中传导。

PNP晶体管

这PNP晶体管只会行事基极交界处是向前偏见的基于集电极的交界处逆转偏见。PNP晶体管的发射极端子连接到电池的正极端子，而PNP晶体管的基端连接到电池的负端子。

发射极区域中存在的孔将朝向基部区域移动以将电子与电子重新组合。因为轻微掺杂的基地区域，只有几孔将与电子重新组合。剩余的孔将向收集区移动。因此，电流将从发射器流到收集器。

电流的流动方向与孔的流动方向相同，这是因为孔是正电荷载波，并且电流也是因为正电荷载体。收集器的尺寸将大于发射器和基础的大小，因为如果收集器具有更多尺寸，则收集更多电荷载流子。

NPN和PNP晶体管之间的主要区别是传导在NPN晶体管中是因为电子在PNP晶体管中的传导是由于洞。
这发射器NPN晶体管的端子连接到消极的电池的终端。相反，发射器PNP晶体管的终端连接到积极的电池的终端。
方向流动在NPN晶体管中，来自收集器到发射器，而PNP晶体管中的电流方向来自发射器到收集器。
NPN晶体管的传导高于PNP的导电，因为移动性与孔的电子更比较。
这电路象征除了发射器上箭头的方向，NPN和PNP晶体管彼此类似。箭头的方向表示晶体管中的电流方向。NPN晶体管中的箭头从基站向外向外，而在PNP晶体管中向内向内向上点。
PNP晶体管下沉所有电流进入基地区域。这可以通过箭头向基座的帮助来理解。相反，NPN晶体管来源目前在基区的帮助下。
NPN晶体管打开当基极电流开始增加时，在PNP与其相反时。
NPN晶体管需要更多时间转变上与PNP晶体管相比。这是因为NPN晶体管中的电流承载电荷载波是电子。

由于电子从低电阻区域移动到高电阻区域，NPN晶体管导致电流。PNP晶体管当孔从低电阻移动到高电阻区域时导电。

两者都是晶体管的亚型，两者都用于放大或者交换过程。它们之间的唯一区别是传导机制。