晶闸管和晶体管的区别

一种晶闸管是具有高额定电压和电流的半导体器件，并且还具有处理大功率的能力。相反，晶体管不能处理相当于可控硅处理的大功率。此外，晶体管的额定电流和额定电压也很低。因此,动力处理能力区分这些设备。

虽然，晶闸管和晶体管两者都是用于切换应用的重要装置，但仍然是由于它们具有自己的应用领域的特征的差异。

晶闸管和晶体管在结构上的另一个明显区别是晶闸管是由四层p型和n型材料交替排列而成。另一方面，晶体管是由两者中的任何一层夹在一起形成的p型或n型半导体材料分别在n型和p型材料层之间。

现在，你们应该大概知道了它们之间的区别晶闸管和晶体管。但差异不会结束;上述四层和三层设备之间存在很多差异。我们将讨论所有这些帮助比较图表。

但之前，我沉迷于比较图表，让我们快速看看本文的路线图。

内容:晶闸管与晶体管

1. 比较图表
2. 定义
3. 关键的不同点
4. 结论

比较图表

参数	晶闸管	晶体管
定义	晶闸管是四层半导体器件，用于整流和切换。	晶体管是三层半导体器件，其主要用于放大和切换。
功率处理能力	与晶体管相比更多。	与晶体管相比的少。
额定电流电压	额定电流和电压大。	低电流和电压额定值
内部损失	与晶体管相比要少。	比晶闸管多。
开启和关闭时间	需要更多时间打开和关闭。	用很少的时间打开和关闭。
成本	这是昂贵的。	它很便宜，因此经济地使用多种应用。
重量	这是庞大的。	它的重量很轻。
触发程序	只需单个脉冲即可将其切换到导通状态。	它需要连续不断的电流来保持导电状态。
高频应用	不合适的。	合适的
高功率应用程序	适用于高功率应用。	不适合高功率应用。

定义

晶体管

一种晶体管是半导体器件由三个终端组成，该终端是发射器，基座和收集器。它可以用作放大器或切换，这取决于晶体管结的偏置。发射器和基地端子构成发射极基极结虽然收集器和基地端子构成集电极-基极结。

发射极端子受到重大掺杂，因此由大量的电荷载流子组成。这些载体通过基极区域朝向集电极流向集电极，并且由于该电流在晶体管中流动。晶体管在三个区域运行活动区域，饱和区域和切断区域。

晶体管的有源区域特性用于放大弱信号，而在开关应用中使用晶体管的饱和和切断区域特性。

晶闸管

一种晶闸管是由的四层半导体材料。它由三个终端组成阴极，阳极和门终端。晶闸管的栅极端子用作控制终端。晶闸管切换到在国家通过向晶体管提供初始电流，然后它将保持在状态。

它就像两个晶体管PNP和NPN通过基极集电极连接在一起。PNP的集电极连接到NPN的基极，因此NPN晶体管会切换到ON状态，而NPN的集电极连接到PNP晶体管的基极。这样，两个晶体管都将保持开着，只需要初始触发供电给PNP晶体管。

结论

晶闸管和晶体管都是开关器件，但晶闸管不适合高频应用，晶体管不适合大功率应用。在高频应用中，我们应该使用晶体管，因为它体积小刺激和关闭时间。但在高功率应用中，应使用晶闸管，因为其电流承载能力高。

如果您将使用晶闸管用于高频应用开关怎么办？它将导致所得电路的效率差。因此，我们只有在我们熟悉它们之间的差异时才可以在适当的应用程序中使用设备。