结场效果晶体管（JFET）

定义：JFET.是一种缩写结场效应晶体管。JFET工作原理，更精确地流过设备的输出电流随所施加的栅极电压而变化。

因此，在门终端处施加的电场控制通过设备的电流流，因此其名称是场效应晶体管。它由三个终端组成门，源极和排水管。

输出电流从漏极端流向源极端。因此，输出电流称为漏极电流。为了了解JFET的工作特性，我们需要考虑一种类型的JFET, n通道JFET或p通道JFET。

这两个JFET之间的差异是导通机制的当前载波。N沟道涉及由于电子流动而导致的，而P沟道JFET涉及由于孔导致的传导。

JFET工作

在三种情况下，它可以很容易地理解它的工作。让我们一个接一个地理解它。

• 没有应用偏见时：在这种情况下，对门端子没有施加偏置。在这种情况下，它意味着门源电压(vg)为0。漏极电压也为0。在这种情况下，耗尽区域的宽度将保持不变。电子将从源端流向门端。

电流的流动方向与电子流动方向相反。因此，电流将从排水管流到源极端子。欧姆触点在漏极，栅极和源处制成以提供连接。

• 当施加较小的负偏置时:当将小的负电压施加到栅极端子I.E.当栅极到源电压为负时，耗尽区域的宽度开始增加。

同时，将正电压施加到漏极到源极端子。在P沟道高度掺杂的同时，正常掺杂N沟道。由于这种情况，耗尽区域的宽度比P沟道更高。

这样形成的楔形耗尽层将减少通过n通道的电流的大小。这是因为随着耗竭层的宽度增加，为电子从源流向漏极提供的空间将减少，最终漏极电流将减少。

耗尽区宽度更接近漏极端而更接近源极端。这是因为栅极在离栅极极近的点比离栅极极近的点更负。并且从漏极流向源极的电流从高阻区流向低阻区，从而产生压降。

• 当应用大负偏差时：当施加大负栅极到源电压时，该大负电场将有助于耗尽区域的宽度的增加。

栅极端子处的负电压意味着，当N端子连接到正端子时，P终端连接到电池的负极端子。这形成了反向偏置的PN结。

反转的偏置PN结将产生耗尽区域，并且更高的反向电压将更多是耗尽区的宽度。因此，在一定的负电压点处，当漏极电流完全切断时，点将到达，并且来自两个侧面的耗尽层将在更靠近漏极端子的区域几乎彼此接触。

这个电压点叫做缩进电压。因此，夹断电压可以被定义为施加在栅极的反向电压到源极端子，使得漏极电流将完全停止。此时，无电流将从结场效果晶体管流动。

JFET的优点

1. JFET具有更长的寿命和高效率，因为其施工简单和制造。
2. 它具有100mΩ的高输入阻抗，这是因为在JFET的输入侧的电路是反向偏置的。由于这种反向偏置，JFET在连接到它的输入电路和连接到它的输出电路之间提供更高程度的隔离程度。
3. 由于其单极性，易于操作。它涉及用于传导的电子或孔。在一时，只有一种电荷载体涉及导通机构，使其更加简单。
4. 它具有更好的热稳定性，这是因为其电阻具有的负温度系数。
5. JFET提供的频率响应也非常高。

JFET的缺点

1. JFET昂贵，需要仔细处理。它比普通晶体管更容易受到损坏。
2. 它具有低电压增益和小跨导。
3. JFET的增益带宽产品也很小。

这完全是JFET的优点和缺点。虽然它由一些缺点组成，但它仍然是一个重要的电子设备。它具有优点和缺点，但前者以前超过后来。