双向可控硅

定义:双向可控硅基本上是3终端吗ac开关显示传导在两个方向上。这些被低能量门信号触发传导。双向可控硅是三歌唱的一个lternatingCurrent。这是一个双向的设备它属于晶闸管家庭和基本上是一个拨号与门终端用来控制设备的接通条件。

更具体地说，在《可控书》中，三表示3终端设备和交流表示一种用来控制交流电。一个16千瓦额定可控硅很容易得到。对于控制应用来说，它们广泛应用于电力电子领域。

让我们看一下可控硅的原理图符号:

双向可控硅的建设

下面的图表显示了可控硅的基本结构:

正如我们已经讨论过的，它是一个3终端和4层设备，它由2个可控硅在反向并联连接有一个门端子。它有6个掺杂区，欧姆接触是由栅与N和P区。因此，触发脉冲的任何一个极性都可以在设备中启动传导。

让我们来看看可控硅基本结构的等效电路。

由于它是双向器件，因此阳极和阴极没有任何意义。因此，终端表示为太₁和太₂随门端子G。

可控硅的操作

可控硅是一种不受终端电压极性影响的器件。因此，存在4种不同的操作可能性。

现在让我们分别讨论以下情况:

1.当门和MT₂在MT的正电势上₁:

关于正电势在MT上的应用₂关于太₁两个结点P₁- n₁和P₂- n₂正向偏压。因此电流流过P点₁- n₁- p₂- n₂。因此，在这种情况下，可控硅被称为有积极偏见。

2.当太₂对于MT来说是正电位门是负电位₁:

和前面的例子一样，这里电流也流过P点₁- n₁- p₂- n₂。但是这里，结点P₂- n_3.通过在P中注入载流子，使可控硅得到正向偏压₂。

3.当门和MT₂在相对于MT的负电势处₁:

在这种情况下，电流流过P点₂- n₁- p₁- n₄。结P₂- n₁和P₁- n₄是正向偏压的，同时，N₁- p₂因此，它被称为消极偏见。所施加的负栅势使结P产生正向偏误₂- n_3.从而在设备中启动传导。

4.当太₂在负电势下但是门在正电势下相对于MT₁:

和前面的例子一样，电流流过P点₂- n₁- p₁- n₄。结P₂- n₁和P₁- n₄正向偏压导致载流子注入，从而打开器件。

具有可控硅特性

可控硅的特性曲线基本具有以下4种模式:

模式1它是第一象限运算，其中V_MT21和V_G1两者都是积极的。

模式2它是第二象限运算，其中V_MT21是积极的和V_G1是负。

模式3这是第三象限运算V_MT21和V_G1两者都是负。

模式4这是第四象限运算V_MT21是负和V_G1是积极的。

在这里,V_MT21表示终端MT的电压₂关于终端MT₁和V_G1表示相对于端子MT的门电压₁。

当装置开始传导时，大量的电流流过它。然而，如此大的电流会损坏设备。因此，使用外部电阻来限制过流。在这里，控制终端是门和适当地应用门电位控制装置的发射角度。

典型可控硅的电压和电流值如下所示:

1. 开态电流:25一个
2. 开态电压:1.5 V
3. 平均触发电流:-马5
4. 保持电流:75毫安

双向可控硅控制电路

让我们来看看下面的可控硅控制电路:

在输入周期的正一半和负一半期间，交流电源通过开关在on和off之间控制负载。正一半正向偏差D1和反向偏差D2和门是相对于A正的₁。

然而，在负半周期内，D₂现在是偏向前向的，但是D₁反向偏置，门相对于端子A是正的₂。电阻R₂在电路中用于控制导通的起始点。

双向可控硅的优点

• 它的结构简单，只需要一个保险丝保护。
• 正负极性电压均可触发可控硅。

双向可控硅的缺点

• 可控硅的额定可用性较可控硅低。
• 这些都不太可靠。
• 在两个波形的发射过程中不存在对称性。
• 非对称开关使它更容易出现问题。

双向可控硅的应用

• 用于交流控制。
• 用于雷电控制。
• 可控硅应用在电动机上。

利用可控硅控制交流电源，取得了较好的控制效果。由于可控硅直接连接到交流电源上，所以在电路测试时需要确保适当的安全性。