定义:年代tatic我ndiftage.ThYristor一般缩写为西斯是一个类似于a的自控设备app 1manbetx bet 。SITH有三个端子，即阴极、阳极和栅极。
它在1960年由一名日本工程师开发，并于1988年投入商业使用。SITH的商业应用是由日本的大学和工业推动的。
静电感应晶闸管所具有的关键特征是它提供了在正向电压的低值下进行大电流的能力，并且还快速关闭。下图表示SITH的象征性表示：
介绍
SITH是一种半导体器件，它是静电感应器件家族的一部分，被认为是一种正常通电的器件。我们知道a晶闸管是一种具有4层和3个终端的双极器件，提供单向电流流动。它被设计为在通电状态下导通，在关断状态下阻断电流。
晶闸管不是完全控制的器件，而是半控制的器件。这是说，因为它通过栅极脉冲的应用，但关闭它的主电源电流必须停止，即使在去除栅极脉冲后，设备继续进行。为此，引入了GTO即闸极关断晶闸管来克服这一问题。GTO是使用负门脉冲来关闭器件的一种。
GTO和静态感应晶闸管的快速比较
静态感应晶闸管是GTO的一种改进，它的工作方式与GTO相似，但是，静态感应晶闸管与门关断晶闸管有一些区别。影响因素如下:
- SITH是一种显示正常配置的设备。
- 它很容易被关断，即具有较低的关断电流增益，通常介于1来3.。
- SITH表现出更高的导电滴。
- 它具有较高的开关频率。
- 电压和电流相对于时间的变化率很高。
- 它提供更大的安全操作区域。
结构
我们知道晶闸管是一个具有PNPN层的4层设备，并且SITH属于该家庭，因此它是P+NN.+p的栅极的二极管+配置隐藏在n层中。
SITH的结构表示几乎类似于静态感应晶体管，而SITH的小变化是一个p+层存在于阳极侧。一起，类似于GTO，n+手指在p中是分散的+阳极层。
静态感应可控硅的工作原理
静电感应可控硅被认为是一种常通器件。在栅极和阴极之间存在零电压时，器件处于on状态。然而，当正极电压很小时，导通性能得到改善。而要关闭该器件，则需要必要的栅极反向电压。
现在让我们继续理解单独打开和关闭SITH进程。
刺激机制:考虑以下所示的简化的SITH结构，以解释设备的开启过程:
在阳极正向偏置的情况下，不管栅极阴极端的0电压如何，该器件充当一个二极管。基本上，当一个正电压施加到阴极上，这就使p+N结正常偏置，导致负载电流的流动I一个从阳极到阴极。
因此，据说SITH是常开的装置。
断开机制:现在，考虑以下所表示的SITH结构来理解设备的关闭过程:
在阳极正向偏置条件下，当栅极端相对于阴极反向偏置时，会在p处形成耗尽层+n结。由于这个耗尽层，阳极电流现在停止从阳极和阴极流动。随着栅极端负电位大小的变化，流过器件的阳极电流的大小也可以变化。
在静态感应晶闸管的反向偏置条件下，即当阴极变为正阳极时，从阴极流向阳极的反向电流。这是由于电子流从阳极混合n+层，沿着p朝向n层+栅极到达阴极后，最后通过n+地区。这相当于静态感应晶闸管没有反向阻塞能力。
应用程序
这些主要发现应用在高压直流转换器，以及感应加热，高频功率转换，能量加速器，电流源逆变器。
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