可控硅并联运行

并行运行晶闸管处理并行连接多个晶闸管的要求，并行配置中的SCR的操作和当要包括多个晶闸管时要考虑的因素。

需要SCR的并联连接

我们已经在讨论时讨论过晶闸管的系列操作目前可用的晶闸管额定值分别为10 kV和3ka，电压和电流。但有时即使是各个晶闸管的高值也无法适合电路的高电流和额定电压。这意味着在一些应用中，需要比单个晶闸管提供的高电流或电压额定值。

我们在前面的内容中已经讨论过，通过晶闸管的串联来获得电路对比单个晶闸管额定值高的电压要求。

当电路负载需要的电流大于单个晶闸管(SCR)的额定电流值时，就需要将晶闸管并联。更简单地说，当电路中的负载要求的电流大于单个晶闸管的额定值时，就需要并联。这意味着为了共享大的负载电流，各种可控硅被连接在一个并行配置。

因此，为了获得比单个晶闸管实际额定值更高的电流值，将各种可控硅并联成串。

类似于晶闸管的串联，这里也要确保整体电流在串中存在的可控硅之间被平均共享，它们各自的I-V特性在正导模式下必须相同。因此，在配置相同类别的晶闸管必须连接。

串效率是可控硅并联时的一个重要参数，定义为:

它是衡量并行配置连接的SCR的有效利用率，通常小于1。其值小于统一的原因是，虽然配置中的SCR属于同一类，但仍然存在一些相对的不同之处评级和规范，导致平行连接的SCR之间的电流不等。作为字符串效率永远不能等于1的结果。

现在问题来了，为什么相同类别的SCR显示特性的差异，从而产生了不平等的电流共享．

因此，基本上在配置中，具有较低的动态电阻值的设备共享更大的电流值。该特定SCR的温度比具有更高的动态电阻的另一个相对较大。温度的增加导致动态电阻的进一步降低，从而增加了电流。此累积过程发生直到设备损坏的时间。

与此类似，接通时间，延迟时间，指电压等的差异相同的因素导致设备的操作难以。尽管在此配置中的各种SCR并行添加，但它们必须具有类似的锁存电流值，即，即使在移除栅极脉冲之后，必须在同一时间接通。此外，它们的保持电流不得显示多大变化，当电流低于其相应的保持电流值时，串联的载荷电流减小时，串联的平行连接的装置之一被关闭。

然而，一旦设备关闭，即使当电流增加时，也不会接通非导电设备，直到不应用时间栅极脉冲。

平行连接的SCR的操作

到目前为止，我们已经获得了基本思想，即当电路的当前要求变得超过单个晶闸管提供的当前额定值时，晶闸管通过并联配置连接。对于整体电流，在SCR之间同样共享，它们必须具有类似的I-V特性。

下图是两个晶闸管的并联，电压降为V_T.必须是相同的，以便两者可以共享相同数量的当前电流。

看看电压降为V的可控硅的正向传导特性_T.．

从图中可以清楚地看出SCR₁共享其额定电流值I₁而可控硅₂有现在的我₂谁的价值不太低于我₁．电路的额定电流为2I₁但是该单元所携带的总电流是I₁+我₂．

因此，在这种情况下，字符串效率为:

这里需要注意的是，为了使可控硅正常运行，我们必须保持安装时需要一个普通散热器的相同温度。

现在，让我们了解我们如何实现统一的当前共享。为了保持各平行连接的SCR跨越恒定电流，必须在每个SCR上串联连接外部电阻的合适值。

下图清楚地表示了这一点:

这里需要注意的是R₁，R.₂, - R_n对应于r的外部电阻_T1.，R._T2., - R_Tn是配置中存在的各种SCR的动态电阻。均衡流过每个晶闸管的电流，外部电阻的值I.，R₁，R.₂———R_n被选择以某种方式选择R._T1.+ R₁= R._T2.+ R₂R = -_Tn+ R_n．

有时由于在给定配置中携带电流的导线提供的电感效果，有平行连接的SCR之间的电流分布不均分布。基本上，当SCR以不对称的方式布置时，如下所示的不对称方式：

然后，在这种情况下与两个端部存在的两个导体相比，中心将具有更多电感，因为它也将具有来自其他两个导体的磁通连杆。由于这个原因，电流的相对较少的值将流过SCR，该SCR存在于中心的基于外部两个。为了克服这个问题，SCR在散热器上对称地布置，如下所示：

当我们处理交流电路时，电流分布可以通过使用电抗器来均衡，电抗器提供如下所示的并联路径的磁耦合:

这里反应器的中点是a，所以阳极电流是I₁+我₂，反应堆的两半所产生的通量就会相互对立。然而，这个相反的通量将被抵消，因此反应堆上的电压降将为0。

在这种情况下一世₁>我₂那么整体磁链将不会为0，尽管链接磁链将诱导电动势L₁和L₂在反应堆的两半上。感应电动势L₁会与电流I相反吗₁和L₂会支持电流I的流量吗₂．就这样，我扬长而去₁和我₂分别发生，这有助于最小化不平衡的电流在并联配置。