PhotoLro ansistor

定义：光透射师除了在光电晶体管的情况下，除了基站端子不存在的事实之外，类似于正常晶体管。光电晶体管将入射光转换为光电流。代替提供用于触发晶体管的基电流，光线用于照亮基区域。

基座端子由表示朝向光的敏感性的材料组成。光电晶体管的电路符号类似于传统晶体管的电路符号，但是可以省略基站。两个箭头指向光电晶体管表示光电晶体管被入射的光触发。

电路符号PhotoLro ansistor在下图中描述。

光电晶体管的构造

光电晶体管以类似的方式制造，通过制造正常晶体管，唯一的差异是在与正常晶体管相比的光电晶体管的情况下的基座和集电极区域的面积。这是因为光落在光电晶体管上的光越多，它将产生的更多电流。

收集器和基部区域由离子注入和扩散的技术形成。使用前面使用的晶体管由诸如锗和硅的半导体材料制成，并且所得结构成为均匀的材料，由硅或锗组成。

相反，当然，光电晶体管由镓和砷化物的群体（砷化镓）（例如GaAs（砷化镓）组成，其中每一个用于晶体管的任一侧。得到的结构本质上变得异质。与均匀晶体管的转换效率相比，这种类型的结构被广泛使用，因为转换效率增加了几次。

光反射器的工作

光电晶体管的输出取自发射极端子，并且允许光线进入基区。由光电晶体管产生的光电流的大小取决于落在晶体管上的光的光强度。

它可以是三个终端或两个终端，我们可以根据我们的要求省略基础。光电晶体管可以在三个区域中操作，该区域是截止区域，有源区域和饱和区域。截止区域和饱和区域可用于操作晶体管作为开关。

活动区域用于产生电流。从光电晶体管产生的电流取决于除了诸如发光强度之类的若干因素

1. 直流电流增益晶体管：晶体管的直流电流增益越高，产生的光电流强度越高。
2. 时间常数：晶体管的响应时间还影响光电晶体管产生光电流的效率。
3. 发光敏感性：发光灵敏度可以通过光电电流与入射光通量之间的比率来确定。
4. 收集器底座的区域：收集器基条的区域对于产生光电流至关重要，收集器基部接合的面积越高，光电晶体管产生的光电流的大小越高。
5. 入射光的波长：入射在光电晶体管上的光的波长控制产生的光电流量。较低的波长越高，频率越高。

光电晶体管的输出特性

通过下面的图表，可以理解光电晶体管的输出特性。它示出了集电器电流相对于发射器集电极电压的变化的变化。

光电晶体管的优点

1. 与光电二极管相比较高的效率：光电晶体管的效率高于光电二极管的效率。这是因为光电晶体管的情况下的电流增益大于光电二极管的电流增益，因此，即使入射在两者上的光量相同，光电晶体管将产生比光电二极管更加光电流。
2. 更快的回应：光电晶体管的响应时间大于光电二极管的响应时间，这提供了在我们电路中使用光电晶体管的优点。
3. 噪声干扰较少：光电二极管的主要缺点尤其是雪崩光电二极管的主要是对噪声干扰的影响。相反，光电晶体管免受噪声干扰。
4. 经济：光电晶体管比其他光敏感装置的昂贵较低，因此在光敏应用中使用光电晶体管是经济的。
5. 不太复杂：与LDR和光电二极管相比，光电晶体管的设计简单且更厚。

光电晶体管的缺点

1. 电磁能量的影响：当电磁场在操作区域内干扰时，光电晶体管的效率降低。这导致光电晶体管的转换效率差。
2. 高频表现不佳：由于集电极基区域的大面积，电容增加。由此，它不能在更高频率范围内有效地将光转换为光电流。
3. 电动尖峰：与光电二极管相比，它更频繁地在光电晶体管中产生。

光反射镜的应用

1. 计数系统：光电晶体管通常用于计数系统。由于该设备在入射光的帮助下工作，因此在计算系统中使用这种设备很容易，因为我们不需要担心电源。
2. 编码器传感和对象检测：光电晶体管可用于检测对象或用于编码。
3. 打印机和光学控制遥控器：由于其高光线到电流转换效率，它通常用于光学装置，例如遥控器，打印机等。
4. 光探测器：光电晶体管最关键的应用是用它作为光检测器。这是因为它可以检测到少量光线，因为它是高效的。
5. 级别指示和继电器：光电晶体管也用于指示各种系统中的水平。他们还在继电器和打击卡中发挥着重要作用。

光电晶体管是关键光电子装置，它也用于光纤。由于其在光电二极管上的几个优点，更优选光电二极管。